自作よもやま話v2

>IRF530は1000P、IRF640は250P程度でした。これは10個ほど測ってほぼ同等でした。

規格表を見るとVds＝0V、要は単に電圧を掛けないでG-S間を容量計で測ると、IRF530は1000PF近辺、IRF640は2500pF近辺とありますね。Vdsを掛けるとCissは減少します。実際は動作電圧をかけた状況でないとカットオフFはわかりません。1：1と4：1で変わらないというのは不思議ですね。これは私にはちょっとよくわかりません（笑）。ただ、参考ですが2sk1575とかRD16HHF1などはカットオフFは計算通りでした。

>もっと素直な素子で高電力の実験を始めればよかったのでしょうが難易度MAXで始めたものですから難儀しています。

素直な素子はお値段が高いですからねぇ。私は、今のFETは「処分品？」だったのか、実は、ある方がIRF640といい勝負の値段で手に入れました。それをブツブツ交換（VN66AFDだったか？）で交換したのですが、無理言って4個頂きました。かの方は全量買い占めたようですが（笑）。

>基本データシート上の性能で可能であれば問題にはされないのだと思います。

逆にこれが厄介なこともありますよね。終段の損失はパワーのX倍（X＝3？？）までくらい？という、保証のための制限があるようで、KW用のLDMOSで２００W保証認定を取ろうとしても当然許してくれません。前にも書きましたが、１０W機にRD16HHF1PPは通りません。

>次の企画が楽しみですね。

LAOさんに合わせて真空管にしましょうか？納戸に放りこんである実験機を引っ張り出して見てニタニタしています。どう料理してやろうかなんて。

>大きな放熱器はスペース的に無理なので小さなFANでもつけてやるかとポチりました。

え？あの放熱器がちんちんですか？Eクラスだと３端子レギュレータ用の小ぶりな放熱器でも５W出るので、非線形アンプをあたらめて見直しました（もちろんリニアリティなんて言葉はありませんが）

次ネタに移る前に、SGのF安定化と表示高速化を始めてしまいました。うまく動いていたのですが、実験中になんとArduino　UNOもどきの内蔵レギュレータが壊れてCPUが逝ったようです。こんなの初めてですが・・・どうしたんだろ？？