自作よもやま話v2

>ある条件下で発振していて８Ｗくらい出てVgs＝±20Vを超えていたようです。

なるほど。面白そうなので思考実験してみましょう。±20VはFETのGateですから、このアンプのトランスは多分Z比4：1のステップダウンしていませんか？というのもCissの大きなFETでZ比１：１のトランスだとHF高域までは伸びません（440ｐFでコーナーF（＝-3ｄＢ）は14MHｚ）。４：1だと仮定して（これだとコーナーFは56MHｚ）入力端では±40Vの振幅ですね。これは５０Ω端の実効値では１６Wが突っ込まれることになりますねが、±２０V丁度では壊れないでしょうから２０Wとかのパワーを突っ込まないとゲート電圧オーバーでFETは壊れないと思うのですが・・・どうなのですかね？すごい急峻なパルス的発振なのですかね？

>お～、そうなのですか。それは是非教えて欲しいものです。

いえいえ、べつに大した話ではなくて、いつもの蟻で鑑識眼を働かせばOKという話です（笑）。

>それでもなんだか物足りなさを感じるのは性ですかね。

まさにそんな感じです。40GK6×2をCクラスで動かせば、発振さえしなければ普通に200Wは出ますね。要はブースターアンプってヤツですが。ただ、球の特性が揃っていないと「片焼」ですぐにパワーが落ちます。私は、単球で遊ぼうかとニタニタしています。

>その後、JARDから問い合わせがあり（自分の記載ミス）それを訂正したところ問題なさそうで保証認定してもらえそうです。

それはすばらしい。TSSも簡単でしたが、JARDもそんなにバリアーはなさそうですね。私も、何台かため込んで一気にやることにしますか・・・いつになるかなぁ（笑）。

>IRF530は１００Wまではいけそうですがそれ以上はVgs＝±20Vの壁があって厳しそうです。

また思考実験をしましょう。FETのVgs＝±20Vをしっかり振れて、電力利得が15ｄBと過程すると出力は±112.5Vで、さらに出力トランスでZ比1：4なら電圧は2倍になりますから450Vp-p＠50Ωとなって、509Wrmsになります。なので、出力が100Wrms（＝200Vp-p＠50Ω）であれば、FETのゲートには±20Vまでは掛ける必要はないと思いますよ。やはり、SW用をRFに用いた場合は他の制限がひっかかって飛ぶのじゃないかと思います。ただ、あくまで思考実験なので、実態とは異なるかもしれませんのであくまで御笑覧ということで（笑）。

さて、こちらはそろそろArduino_FT-８_TRX＆Linearが結審しそうなのですが、次はなにをやりましょうかね？